90 nanômetros

Fabricação de dispositivos semicondutores

20 µm – 1968 10 µm – 1971 6 µm - 1974 3 µm - 1977 1,5 µm - 1982 1 µm - 1985 800 nm - 1989 600 nm - 1994 350 nm - 1995 250 nm - 1997 180 nm - 1999 130 nm - 2001 90 nm - 2003 65 nm - 2005 45 nm - 2007 32 nm - 2009 28 nm - 2010 22 nm - 2012 14 nm - 2014 10 nm - 2016 7 nm - 2018 5 nm - 2020 3 nm - 2022 2 nm - 2025 1 nm - 2027

O processo de 90 nm refere-se à tecnologia usada na fabricação de semicondutores para criar circuitos integrados com um tamanho mínimo de recurso de 90 nanômetros. Foi um avanço em relação ao processo de 130 nm anterior. Eventualmente, foi sucedido por nós de processo menores, como os processos de 65 nm, 45 nm e 32 nm.

Foi comercializado no período de 2003–2005, por empresas de semicondutores incluindo Toshiba, Sony, Samsung, IBM, Intel, Fujitsu, TSMC, Elpida, AMD, Infineon, Texas Instruments e Micron Technology.

A origem do valor de 90 nm é histórica; reflete uma tendência de escalonamento de 70% a cada 2–3 anos. A nomenclatura é formalmente determinada pelo International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

O tamanho de wafer de 300 mm tornou-se mainstream no nó de 90 nm. O tamanho de wafer anterior era de 200 mm de diâmetro.

O comprimento de onda de 193 nm foi introduzido por muitas (mas não todas) empresas para litografia de camadas críticas principalmente durante o nó de 90 nm. Problemas de rendimento associados a essa transição (devido ao uso de novos fotorresistes) refletiram-se nos altos custos associados a essa transição.

Desde pelo menos 1997, os "nós de processo" têm sido nomeados puramente com base em marketing, e não têm relação com as dimensões no circuito integrado; nem o comprimento de porta, o passo de metal ou o passo de porta em um dispositivo "90nm" tem noventa nanômetros.

História

Um MOSFET de silício de 90 nm foi fabricado pelo engenheiro iraniano Ghavam Shahidi (posteriormente diretor da IBM) com D.A. Antoniadis e H.I. Smith no MIT em 1988. O dispositivo foi fabricado usando litografia de raios X.

Toshiba, Sony e Samsung desenvolveram um processo de 90 nm durante 2001–2002, antes de serem introduzidos em 2002 para a eDRAM da Toshiba e a memória NAND flash de 2 Gb da Samsung. A IBM demonstrou um processo CMOS de silício sobre isolante (SOI) de 90 nm, com desenvolvimento liderado por Shahidi, em 2002. No mesmo ano, a Intel demonstrou um processo de silício tensionado de 90 nm. A Fujitsu introduziu comercialmente seu processo de 90 nm em 2003 seguida pela TSMC em 2004.

Gurtej Singh Sandhu da Micron Technology iniciou o desenvolvimento de filmes de alto k por deposição de camada atômica para dispositivos de memória DRAM. Isso ajudou a impulsionar a implementação de custo-efetiva da memória semicondutora, começando com DRAM no nó de 90 nm.

O processo de 90nm da Intel tem uma densidade de transistores de 1,45 milhão de transistores por milímetro quadrado (MTr/mm2).

Exemplo: processo de DDR2 SDRAM de 90 nm da Elpida

Processo de DDR2 SDRAM de 90 nm da Elpida Memory.

• Uso de tamanho de wafer de 300 mm
• Uso de litografia KrF (248 nm) com correção de proximidade óptica
• 512 Mbit
• Operação a 1,8 V
• Derivado de processos anteriores de 110 nm e 100 nm

Processadores usando tecnologia de processo de 90 nm

• Sony/Toshiba EE+GS (PlayStation 2) - 2003
• Sony/Toshiba/IBM Cell Processor - 2005
• IBM PowerPC G5 970FX - 2004
• IBM PowerPC G5 970MP - 2005
• IBM PowerPC G5 970GX - 2005
• IBM "Waternoose" Xbox 360 Processor - 2005
• IBM Broadway (Nintendo Wii) - 2006-09
• Intel Pentium 4 Prescott - 2004-02
• Intel Celeron D Prescott-256 - 2004-05
• Intel Pentium M Dothan - 2004-05
• Intel Celeron M Dothan-1024 - 2004-08
• Intel Xeon Nocona, Irwindale, Cranford, Potomac, Paxville - 2004-06
• Intel Pentium D Smithfield - 2005-05
• AMD Athlon 64 Winchester, Venice, San Diego, Orleans - 2004-10
• AMD Athlon 64 X2 Manchester, Toledo, Windsor - 2005-05
• AMD Sempron Palermo and Manila - 2004-08
• AMD Turion 64 Lancaster and Richmond - 2005-03
• NVIDIA GeForce 8800 GTS (G80) - 2006
• AMD Turion 64 X2 Taylor and Trinidad - 2006-05
• AMD Opteron Venus, Troy, and Athens - 2005-08
• AMD Dual-core Opteron Denmark, Italy, Egypt, Santa Ana, and Santa Rosa
• VIA C7 - 2005-05
• Loongson (Godson) 2Е STLS2E02 - 2007-04
• Loongson (Godson) 2F STLS2F02 - 2008-07
• MCST-4R - 2010-12
• Elbrus-2S+ - 2011-11

Ver também

• Fotolitografia

Ligações externas

• PC World Revisão
• Revisão ITworld
• AMD
• Fujitsu^{[ligação inativa]}
• Intel

Precedido por: 130 nm

processos de fabricação CMOS

Sucedido por: 65 nm